东芝推出导通电阻减小0的600V耐压超结

　　东芝于201 年4月 日开始销售单位面积的导通电阻比该公司原产品减小了 0％的600V耐压超结型功率MOSFET“DTMOSIV”。东芝称，“这款产品实现了业界最低的单位面积导通电阻”。这是通过在制造技术中应用单一外延工艺实现的。而且，还利用此次的制造技术提高了寄生二极管的恢复速度，将反向恢复时间缩短至该公司原产品的1/ 。因此，可将电源电路的损耗控制在较低水平。新产品将用于开关电源、微型逆变器、AC适配器和光伏发电系统用逆变器等。

　　东芝此次推出了最大漏电流和导通电阻等各不相同的三款产品。第一款是最大漏电流为15.8A的“TK16A60W5”。栅源间电压为10V时的导通电阻为0.2 Ω（最大值），栅极电荷量为4 nC（标称值），输入容量为1 50pF（标称值），反向恢复时间为100ns（标称值），采用TO-220SIS封装。

　　第二款产品是漏电流为 0.8A的“TK 1J60W5”。栅源间电压为10V时的导通电阻为0.099Ω（最大值），栅极电荷量为105nC（标称值），输入容量为 000pF（标称值），反向恢复时间为1 5ns（标称值），采用TO- P(N)封装。

　　第三款产品是漏电流为 8.8A的“TK 9J60W5”。栅源间电压为10V时的导通电阻为0.074Ω（最大值），栅极电荷量为1 5nC（标称值），输入容量为4100pF（标称值），反向恢复时间为150ns（标称值），采用TO- P(N)封装。

　　三款产品的价格均未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）