国产存储芯片与国外相比存在明显差距化工机

　　您现在的位置：首页 >> 资讯频道 >> 贸易资讯>>国产存储芯片与国外相比存在明显差距

　　众所周知，存储芯片是半导体元器件中不可或缺的组成部分，应用场景*广阔，目前已在内存、消费电子、智能终端等领域有着越来越深入的运用。尤其是在近几年，包括大数据、云计算、物联等新一代信息技术快速发展，持续推动着存储芯片在整个产业链中地位的提升。

　　存储芯片地位不言而喻

　　从存储芯片本身性能来看，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。存储芯片的作用便是为访问性能、存储协议、存储介质等多种应用提供高质量的支持。

　　而从研发存储芯片的意义来看，就不只是体现在其功能与作用上，更多地表现在国家综合竞争力及话语权的提升中。

　　一方面是为提升市场占有率，研发自主存储芯片在其中起到重要作用；另一方面，在竞争激烈的电子产业链里面，没有核心技术的企业，很容易被“卡脖子”；此外，芯片技术作为*的科技，既为企业赚取了大部分利润，也能提升国家的话语权。由此来看，存储芯片的重要性不言而喻。

　　国产芯片面临双重压力

　　经过近几年的发展，全球存储芯片起起落落。据统计，2017年NAND和DRAM销售总额高达1 20亿美元，比2016年的800亿美元增长了65%。销售额暴涨的重要原因之一，就是NAND和DRAM价格疯涨。

　　有观点表示，NAND与DRAM价格之所以暴涨，三星在其中起着关键作用，“三星占据较高市场份额，只要联合同为韩国企业的SK海力士，就可以轻易操纵市场。”

　　此外，近年来三星的极大举措或将对国产芯片产生重大冲击。一方面，三星刻意控制产能，防止存储芯片价格下滑；另一方面，三星在不久前宣布其第五代V-NAND正式量产；此外，韩国媒体消息称，三星计划扩大韩国平泽工厂。这样一来，国产存储芯片将面临技术和成本双重竞争。

　　当然，除了三星之外，本土企业还面对着更多实力对手的挑战以及全球市场的风云变幻。国产存储芯片的下一步该怎么走，至关重要。

　　本土力量正蓄势待发

　　相比国外先进技术，我国在在DRAM内存、NAND闪存上仍处于落后地位，但中国科研人员并没有因此停滞不前。

　　此前，中国投资1 0亿元开建PCM相变内存，性能是普通存储芯片的1000倍；前不久，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片。据悉，他们使用半导体结构，使得研发的存储芯片性能更为*，是传统二维存储芯片的100万倍。该芯片不仅性能更长，而且具备更强的耐用性，刷新时间是内存的156倍。

　　此外，更厉害的芯片预计明年到来。据武汉光电国家研究中心研发团队研发负责人表示，团队正在对基于相变存储器的 D XPOINT存储器技术进行研究，预计明年能在实验室研发成功。到时，芯片的读写速度会比现在快1000倍，可靠性提高1000倍。

　　不过，在进行核心技术研发的过程中需要注意的是，无论是企业、科研机构、还是爱好技术研发的个人，切忌闭门造车，在关注政策、市场变化的同时，也要积极、虚心学习国外在核心技术、市场份额、人才储备等方面的优势，以海纳百川之态助推中国芯片产业前行。