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　　Vishay Siliconix 推出的新型TrenchFET 功率 MOSFET实现业内最低导通电阻

　　新型器件采用 SO-8 封装，具有 . m （在 10 V 时）及 5.5 m （在 4.5 V 时）的优异性能

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 12 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE 股市代号: VSH）日前宣布推出新型 20-V 和 0-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si76 DP和Si71 5DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。

　　现有的同类 SO-8 封装器件额定电压下导通电阻仅低至 24 m ，而Vishay的 Si76 DP 具有 . m （在 10 V 时）及 5.5 m （在4.5 V 时）的超低导通电阻。这些值比最接近的同类 0-V 器件低 27%（在 10 V 时）和 28% （在4.5 V 时），比最接近的同类 25-V SO-8 器件分别低 28% 和 15%。 0-V Si71 5DP 的导通电阻为 .9 m （在 10 V 时） 和 6.2 m （在4.5 V 时），比最接近的同类器件分别低 1 % （在 10 V 时）和 19.5% （在4.5 V 时）。

　　这次推出的两款 MOSFET均采用 PowerPAK SO-8 封装，可容许比其它 SO-8 封装器件高 60% 的最大漏电流和高 75 % 的最大功率损耗。

　　这两款新型器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关（在适配器/墙壁电源和电池电源间切换）一直处于导通状态，消耗电流。Si76 DP 和Si71 5DP的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。

　　Vishay 还推出了采用 SO-8 封装的 Si4459ADY 0-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。该器件具有 5 m （在 10 V 时）和 7.75 m （在4.5 V 时）的导通电阻。此次推出的所有器件 100% 通过 Rg 和 UIS 认证，且不含卤素。

　　目前，该新型Si76 DP和Si71 5DP TrenchFET 功率 MOSFET可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。

　　VISHAY SILICONIX简介

　　Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET ）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT )。

　　创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK ) 和更小空间(ChipFET ，MICRO FOOT )新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。

　　Siliconix创建于1962年，在1996年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。

　　VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供“一站式”服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览站 。